当用碳酸乙烯酯作增塑剂时，从山该嵌段共聚物展现出10-3 Scm-1的电导率。

巅到b）基于石墨烯玻璃制作的液晶调光智能窗实物图。低谷的兴刘院士的团队希望为大家提供在各种商业玻璃上CVD法直接生长石墨烯的技术综合指南。

从山e）文献报道的PECVD法得到石墨烯薄膜面电阻与透过率变化曲线。巅到b）满层石墨烯覆盖的石墨烯玻璃的实物照片。低谷的兴f）石墨烯玻璃的光学图像。

d）使用气流限域CVD法在石英玻璃上生长的石墨烯的SEM图像，从山生长时间为75分钟。生长方法可以归纳为四大类：巅到直接热CVD生长、熔融床CVD生长、金属催化辅助生长和等离子体增强生长方法。

【前言】金属表面上的化学气相沉积（CVD）被认为是获得大面积、低谷的兴高质量石墨烯薄膜的最有效方法。

主要从事纳米碳材料、从山二维原子晶体材料和纳米化学研究，发表学术论文逾500篇，获授权中国发明专利30项。6、巅到TENG驱动的静电操纵器静电场引起的库仑力是最直接的电响应效应，库仑力是宏观/微观物体的理想驱动力。

图15a，低谷的兴b是TENG和纳电喷雾电离发射器的耦合，接触分离模式（图15a）和独立模式（图15b）的TENG，可以产生单极性和交替极性电荷脉冲。从山等离子由旋转TENG设计和供电。

巅到图14b是施加不同电压的FED电流密度。另一种具有摆式结构的静电驱动器（图10g），低谷的兴TENG中的Kapton薄膜的运动能够调节颗粒的振荡。